回流焊過PCB板時金手指與焊錫生長反應(yīng)
發(fā)布時間:2025-04-11 17:12:01 分類: 新聞中心 瀏覽量:14
在SMT回流焊焊接工藝中,金屬間化合物(IMC)的形成與生長是影響焊點可靠性的關(guān)鍵因素。當(dāng)錫鉛焊料(Sn-Pb)與銅基材接觸時,在界面處會發(fā)生復(fù)雜的冶金反應(yīng),主要形成兩種錫銅金屬間化合物:靠近銅側(cè)的Cu3Sn(ε相)和靠近焊料側(cè)的Cu6Sn5(η相)。這些化合物的形成機(jī)理和生長動力學(xué)直接影響焊點的機(jī)械性能和長期可靠性。
一、對焊點可靠性的影響
隨著IMC層增厚,焊點可靠性面臨多重挑戰(zhàn):
(1)機(jī)械性能劣化:IMC的硬度(HV300-500)遠(yuǎn)高于焊料(HV10-20),但斷裂韌性顯著降低
(2)熱機(jī)械疲勞:由于CTE失配(銅17ppm/°C,Sn-Pb25ppm/°C,Cu6Sn516.3ppm/°C),在溫度循環(huán)中產(chǎn)生應(yīng)力集中
(3)脆性斷裂:厚度超過5μm時,IMC層容易成為裂紋萌生和擴(kuò)展的路徑
二、工藝控制要點
為抑制過度的IMC生長,需優(yōu)化以下工藝參數(shù):
嚴(yán)格控制回流曲線:液相線以上時間(TAL)應(yīng)控制在30-90秒
峰值溫度不超過焊料熔點30-40°C
對于雙面板,第二次回流時需考慮第一次回流形成的IMC影響
返修工藝應(yīng)限制局部加熱時間和溫度
三、失效分析技術(shù)
常用的IMC表征方法包括:
金相切片分析(SEM/EDS)
X射線衍射(XRD)物相分析
聚焦離子束(FIB)納米級觀測
電子背散射衍射(EBSD)晶體取向分析
四、新型解決方案
針對IMC問題的最新研究方向包括:
開發(fā)低溫焊料(Sn-Bi,Sn-In系)
采用納米復(fù)合焊料(添加Ni,Co等納米顆粒)
優(yōu)化表面處理工藝(如ENEPIG)
開發(fā)新型阻隔層技術(shù)(如石墨烯涂層)
通過深入理解IMC的生長機(jī)理并優(yōu)化工藝參數(shù),可以有效提高電子組件的長期可靠性,特別是在汽車電子、航空航天等對可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域。