中芯國(guó)際從2019年四季度開始量產(chǎn)14nm，正處于產(chǎn)能爬坡期；在更先進(jìn)制程的規(guī)劃上，N+1研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段，中芯的N+1工藝相比較臺(tái)積電的7nm性能稍弱；N+2工藝能接近主流的7nm水平，中芯計(jì)劃于今年第四季度進(jìn)行FinFET 7nm的初始生產(chǎn)，但量產(chǎn)計(jì)劃還未公布。
梁孟松表示，“7nm作為其14nm工藝的繼任者，其性能提高了20％，功耗降低了57％。它將邏輯面積減少63％，SoC面積減少55％，密度是14nm的兩倍以上?！彪m然中芯國(guó)際的14nm工藝相比臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)華電子等主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手晚了2-4年，但是在7nm工藝的進(jìn)度較快，正在實(shí)現(xiàn)追趕。
與此同時(shí)，聯(lián)華電子、格羅方德宣布相繼退出12nm以下先進(jìn)工藝市場(chǎng)，據(jù)業(yè)內(nèi)分析，接下來中芯國(guó)際對(duì)這兩家的超越是完全可以實(shí)現(xiàn)的，如果不把三星看做專門的代工廠，那么未來在7nm以下先進(jìn)工藝市場(chǎng)的角逐上，只剩下臺(tái)積電和中芯國(guó)際兩家。
相比身處美國(guó)、臺(tái)灣地區(qū)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，中芯國(guó)際正在把這場(chǎng)危機(jī)化為機(jī)遇。
首先，中國(guó)是芯片市場(chǎng)需求大國(guó)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多年發(fā)展逐步完善，也不乏優(yōu)秀的IC設(shè)計(jì)公司。隨著中美貿(mào)易摩擦的加劇，越來越多的代工訂單轉(zhuǎn)到了中國(guó)大陸，這其中華為也更加傾向于選擇并扶植大陸的合作伙伴。

根據(jù)《電子時(shí)報(bào)》1月份的報(bào)道，中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電，奪得華為海思半導(dǎo)體的14納米FinFET工藝芯片制造訂單。

榮耀Play4T中芯國(guó)際20周年定制版
今年5月，中芯國(guó)際定制版榮耀Play4T在媒體曝光，其特別之處在于背面的logo——SMIC 20，以及一行文字標(biāo)注：Powered by SMIC FinFET，顯示著這款手機(jī)的海思麒麟710A處理器，采用的正是中芯國(guó)際（SMIC）14nm制程代工。
其中，12英寸芯片SN1項(xiàng)目，正是用于滿足建設(shè)1條月產(chǎn)能3.5萬片的12英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目的部分資金需求，將生產(chǎn)技術(shù)水平提升至14nm及以下，來進(jìn)一步滿足客戶的需求。
對(duì)于7nm或更先進(jìn)的工藝，梁孟松曾表示，“中芯國(guó)際無需EUV就能達(dá)成7nm，當(dāng)然后續(xù)的5nm、3nm是必須要有EUV的?！彪m然無法引進(jìn)更為先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，但這也為中芯國(guó)際在短時(shí)間內(nèi)，利用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)從14nm推進(jìn)到7nm工藝制程并逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，贏得了一個(gè)難得的喘息和發(fā)展的時(shí)間差。
在技術(shù)層面上，依然存在不確定性，一旦臺(tái)積電遇到工藝制程陷阱或者技術(shù)分水嶺，中芯國(guó)際作為跟隨者，市場(chǎng)格局很有可能發(fā)生變化。
2014年，臺(tái)積電制程工藝升級(jí)至20nm，并為高通代工驍龍810解決方案。不過該方案內(nèi)核架構(gòu)過分關(guān)注提升性能，導(dǎo)致整機(jī)嚴(yán)重發(fā)熱，深陷工藝制程陷阱，最終造就了高通“火龍?zhí)幚砥鳌钡暮跉v史。臺(tái)積電被迫加快工藝升級(jí)進(jìn)度，經(jīng)過2015與2016年兩次技術(shù)迭代才擺脫陰影。
目前，很難預(yù)判哪個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)將成為新的陷阱。因此，對(duì)臺(tái)積電而言，犯錯(cuò)比減速更加不可接受，這也為中芯國(guó)際的追趕爭(zhēng)取更多時(shí)間。
路漫漫其修遠(yuǎn)兮，吾將上下而求索?！奥浜缶鸵ご颉钡牡览?，從古至今從來不會(huì)改變。中國(guó)的芯片之路仍需不懈努力，還有很長(zhǎng)的路要走。